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电子元器件详细资料 » IC[27681] » SI7983DP-T1-GE3
型号:SI7983DP-T1-GE3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? SO-8 双描述:MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK 8SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK 8SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 P 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C7.7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C17 毫欧 @ 12A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221V @ 600µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs74nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大1.4W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? SO-8 双
供应商设备封装PowerPAK? SO-8 Dual
包装带卷 (TR)

供应商

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SI7983DP-T1-GE3相关型号

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